常熟思科認(rèn)證培訓(xùn)哪里好_思科認(rèn)證培訓(xùn)
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班制:周末班
蘇州三網(wǎng)IT教育CCIE 思科認(rèn)證互聯(lián)網(wǎng)專家
課程目標(biāo)
1、路由交換CCIE認(rèn)證
路由和交換領(lǐng)域的CCIE認(rèn)證資格表示網(wǎng)絡(luò)人士在不同的LAN、WAN接口和各種 路由器、交換機的聯(lián)網(wǎng)方面擁有專家級知識。R&S 領(lǐng)域的專家可以解決復(fù)雜的連接問題,利用技術(shù)解決方案提高帶寬、縮短響應(yīng)時間、**大 限度地提高性能、加強安全性和支持全球性應(yīng)用??忌鷳?yīng)當(dāng)能夠安裝、配置和維護LAN、WAN和撥號接入服務(wù)。
2、安全CCIE認(rèn)證
安全領(lǐng)域的 CCIE 認(rèn)證表示網(wǎng)絡(luò)人士在 IP 和 IP 路由,以及特定的安全協(xié)議和組件方面擁有專家級知識。獲得安全CCIE,能夠設(shè)計安全的網(wǎng)絡(luò)。熟練使用ASA/PIX,IPS,VPN產(chǎn)品以及 各種安全技術(shù)。
3、電信運營商CCIE認(rèn)證
電信運營商CCIE認(rèn)證(以前被稱為通信和服務(wù))表示網(wǎng)絡(luò)人士在IP原理和核 心IP技術(shù)(例如單播IP路由、QoS、組播、MPLS、MPLS VPN、流量工程和多協(xié)議BGP)方面擁有專家級知識,并且在至少一項與電信運營商有關(guān)的網(wǎng)絡(luò)領(lǐng) 域具有專業(yè)知識。這些領(lǐng)域包括撥號、DSL、有線網(wǎng)絡(luò)、光網(wǎng)、WAN交換、IP電話、內(nèi)容網(wǎng)絡(luò)和城域以太網(wǎng)。
三網(wǎng)IT教育
目前,三網(wǎng)提供的培訓(xùn)服務(wù)涉及Cisco,微軟,Linux、Oracle和VMware高端 技術(shù)培訓(xùn)、Cisco 認(rèn)證培訓(xùn)等技術(shù)領(lǐng)域,具體包括:R&S CCIE、Security CCIE、Voice CCIE、CCNP、CCSP、CCVP、CCNA、CCIP、RHCSA、RHCE、 RHCA、MCSE、MCITP、OCA、OCP、OCM、VCP等等。
CCIE路由交換筆試
考試代碼: 400-101;考試費用: 450美元;考試時間: 140分鐘;考試分?jǐn)?shù):滿 分1000分, 804分**考試。
考試題型:單選題、多選題及拖圖題,題量共100題。
考試地點:筆試部分考試在中國各個省會城市或一線城市基本都能考。
預(yù)約考試: CCIE筆試的預(yù)約可以**VUE 預(yù)約考位,報名學(xué)員將由老師統(tǒng)一安排預(yù)約考試(由于我們本身就是考場,預(yù)約時間可以跟隨考生時間隨時安排考試)
CCIE路由交換LAB考試
CCIE LAB考試時間為8小時,總分100分, CCIE LAB考試內(nèi)容共分為三個模塊
1) TS (Troubleshooting)故障排錯總分24分,大于等于20分, pass
2) DIAG (Diagnose)故障診斷總分6分大于等于4分, pass
3) CFG (Configuration)配置總分70分,大于等于56分, pass
我們將為您提供考試的**新信息。 (lab的考試需要去北京或者香港,我們老 師會全程跟蹤)
內(nèi)存一開始就叫“DDR”?
內(nèi)存,是電腦硬件系統(tǒng)中不可或缺的重要配件;對于我們新手而言,現(xiàn)在所見到的內(nèi)存幾乎都是DDR系列內(nèi)存;但是,它從誕生之日起就叫DDR嗎?其實,內(nèi)存已歷經(jīng)數(shù)代變遷,名稱也相應(yīng)而變。但從它的變化,我們可以讀懂PC的發(fā)展。
內(nèi)存的變革
內(nèi)存一開始并不叫“DDR”,F(xiàn)PM、EDO、SDRAM等名字都曾被使用過。當(dāng)然,這也是根據(jù)內(nèi)存當(dāng)時的各種特性而定的。
1.早期產(chǎn)品掃描
**早的內(nèi)存都是焊接在主板或擴展板上使用,沒有獨立的形態(tài)。隨著286主板的推出,擴展更方便的獨立內(nèi)存條開始批量出現(xiàn)。FPM內(nèi)存便是那個時代的代表作。FPM是Fast Page Mode(快速頁模式)的簡稱,其金手指腳數(shù)有30線(30pin,下同)和72線兩類。
EDO(Extended Data Output,擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存)則是在1993年至1996年間流行的內(nèi)存條種類。它有72線和168線之分,5V電壓,基本速率40ns以上。其主要應(yīng)用在當(dāng)時的486主板及早期的Pentium主板上。憑借著制作工藝的不斷進步,單條EDO內(nèi)存的容量已可達4MB、8MB或更高,成對使用的這類內(nèi)存已可 實現(xiàn)16MB乃至32MB的“大”容量。
而SDRAM內(nèi)存則是Pentium、PentiumⅡ、PentiumⅢ時代的座上賓。SDRAM內(nèi)存(常簡稱為SD內(nèi)存),168線接口,英文全稱為Synchronous Dynamic random access memory,“同步動態(tài)隨機存儲器”?!巴健笔侵竷?nèi)存工作需要同步時鐘,內(nèi)部命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。其為**代同步動態(tài)隨機存儲器標(biāo)準(zhǔn),其常見的頻率規(guī)范有PC66、PC100和PC133,以及后期出現(xiàn)的PC150和PC166規(guī)范等。
此外,在早期的Pentium 4平臺上,還出現(xiàn)過一種叫RDRAM(RAMBUS DRAM)的內(nèi)存產(chǎn)品。RDRAM內(nèi)存是當(dāng)時一種高性能的存儲器,可提供600MHz、800MHz和1066MHz三種速度,232線,主要有64MB、128MB、256MB、512MB等容量規(guī)格。號稱能提供三倍于PC100 SDRAM的性能。但由于成本過高、專利技術(shù)的限制,讓其生不逢時,很快被DDR內(nèi)存淘汰出局,縱使有Intel的強力支持也無濟于事。
RDRAM要維持內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸通道的連續(xù)性,需在空著的內(nèi)存槽口插上RAMBUS連接卡(圖片上方的兩條),當(dāng)有內(nèi)存擴容需求時,只需將相應(yīng)的連接卡換成RDRAM內(nèi)存即可。
2.DDR系列稱王
DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)的簡稱,是由VIA等公司為了與RDRAM相抗衡而提出的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),為第二代SDRAM標(biāo)準(zhǔn)。其常見標(biāo)準(zhǔn)有DDR 266、DDR 333和DDR 400,是Pentium 4、K7及早期K8平臺的標(biāo)配。作為SDRAM的更新?lián)Q代產(chǎn)品,DDR內(nèi)存采用2.5v工作電壓,184線接口,它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù),這樣不需要提高時鐘的頻率就能實現(xiàn)雙倍的SDRAM速度——例如DDR266內(nèi)存與PC133 SDRAM內(nèi)存相比,工作頻率同樣是133MHz,但在內(nèi)存帶寬上前者比后者高一倍。這種做法相當(dāng)于把單車道更換為雙車道,內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸性能自然可以翻倍。
DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)開發(fā)的第三代SDRAM內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),1.8v工作電壓,240線接口,提供了相較于DDR SDRAM更高的運行效能與更低的電壓,同樣采用在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力(即4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力),其常見的頻率規(guī)范有DDR2 400\533\667\800\1066\1333等,總線頻率553MHz的DDR2內(nèi)存只需133MHz的工作頻率。**具代表性的此類平臺包含Intel 915/945系列(LGA775)芯片組的平臺和支持AMD 940(AM2)的平臺。
雖然DDR3和DDR2都是240線,但其電壓和針腳定義、缺口都不同,所以不能混插。
DDR3 SDRAM相比起DDR2具備更低的工作電壓(1.5v),240線接口,支持8bit預(yù)讀,只需133MHz的工作頻率便可實現(xiàn)1066MHz的總線頻率。其頻率從800MHz起跳,常見頻率有DDR3 800\1066\1333\1600\1866\2133等。DDR3是當(dāng)前流行的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),Intel酷睿i系列(如LGA1156處理器平臺)、AMD AM3主板及處理器的平臺都是其“支持者”。
DDR4相比DDR3**大的區(qū)別有三點:16bit預(yù)取機制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。
筆記本電腦內(nèi)存和服務(wù)器內(nèi)存
雖然本文主要基于臺式機內(nèi)存作介紹,但在內(nèi)存陣營里還有筆記本電腦內(nèi)存和服務(wù)器內(nèi)存之別。各種筆記本電腦內(nèi)存在技術(shù)上和同時代同規(guī)范的臺式機內(nèi)存一樣,主要差別在于其更緊湊針腳更緊密,擁有體積小、容量大、速度快、耗電低、散熱好等特性。服務(wù)器內(nèi)存則主要在于加入了如ECC(檢測數(shù)據(jù)錯誤并進行糾錯)、ChipKill(比ECC更先進的技術(shù),可同時檢查并修復(fù)4個錯誤數(shù)據(jù)位)、熱插拔技術(shù)等,具有更高的穩(wěn)定性。
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